2024 年，对于半导体芯片行业而言，将是“换挡提速”的一年！来自新能源汽车、AI算力、工业电子、通讯等领域的芯片需求持续增长，“新质生产力”按下“快进键”，带动产业发展机遇，技术创新层出不穷。作为长周期、高成长性的赛道，芯片行业、企业该如何抓住发展机遇？

联发科技宣布All in AI，发布天玑9300+芯片

近日，联发科此次发布了全新的「天玑9300+核心处理器」。值得注意的是，这颗芯片依旧主打AI能力——在端侧支持双LoRA融合技术，这意味着开发者们能在一个大模型的基础上，叠加双倍的功能，生成式AI的效率更高。此外，天玑9300+也支持当下主流的生成式AI大模型，支持图像、文字、音乐等，还支持AI框架Execu Torch，加速开发者借助端侧生成AI的开发进程。在发布会上演示时，联发科技用天玑9300+芯片，在端侧跑了Llama 2的7B大模型，仅仅使用了22tokens/秒。（36氪）

英伟达、AMD或包下台积电两年先进封装产能

据《台湾经济日报》报道，AI巨头英伟达、AMD全力冲刺高效能运算（HPC）市场，传出包下台积电今明年CoWoS与SoIC先进封装产能。台积电高度看好AI相关应用带来的动能，该公司总裁魏哲家于4月法说会上修订了AI订单能见度与营收占比，其中，订单能见度从原预期的2027年拉长到2028年。台积电认为，服务器AI处理器今年贡献营收将增长超过一倍，占公司2024年总营收十位数低段百分比，预计未来五年服务器AI处理器年复合增长率达50%，2028年将占台积电营收超过20%。（CNMO）

内存制造商美光科技计划在日本广岛建设新的DRAM 工厂。新工厂将配备极紫外光刻 (EUV)设备，用于生产美光最先进的内存产品。根据公司原计划，公司将于 2026 年初破土动工，并于 2027 年建成并投入运营。据《电子时报》报道，该工厂的建设可能会推迟两年。美光执行副总裁兼事业长Sumit Sadana接受日经新闻专访表示，「广岛工厂将成为AI记忆体生产据点」，藉由导入次世代技术和增产投资，「目标将HBM市占率提高至25%左右水准」。美光2024年2月开始出货的新型HBM产品已获英伟达(Nvidia)采用。因此，虽然工厂的启动和运营有所延迟，但对工厂的投资金额却有所增加。这可能是因为美光需要尽快增加生产能力。其 2024 年的 HBM 产量已经完全售罄，而美光 2025 年的产量也已被客户 100% 预订。（半导体行业观察）

英特尔率先推出业界高数值孔径 EUV 光刻系统

英特尔代工已接收并组装了业界首个高数值孔径（高NA）极紫外（EUV）光刻系统。新设备能够大大提高下一代处理器的分辨率和功能扩展，使英特尔代工厂能够继续超越英特尔 18A 的工艺领先地位。（Yole Group）

SK海力士称，AI存储芯片2025年订单几乎已满

SK海力士 CEO 郭鲁正表示，虽然目前 AI 需求以数据中心为主，但今后有望迅速扩散到智能手机、PC、汽车等端侧 AI 领域。因此，专门用于 AI 的“超高速、高容量、低电力”存储器需求将会暴增。他还透露，公司今年的 HBM 产能已经全部售罄，明年订单也基本售罄。据称，SK 海力士预计在今年 5 月提供世界最高性能的 12 层堆叠HBM3E 产品的样品，并准备在第三季度开始量产。（IT之家）

ROHM开发出集VCSEL和LED特点于一体的红外光源VCSELED™

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）确立了一项通过激光用树脂光扩散材料将垂直腔面发射激光器VCSEL元件密封的新型红外光源技术“VCSELED™”。该技术有望成为有助于提高汽车驾驶员监控系统（DMS）和座舱监控系统（IMS）性能的光源，因此ROHM目前正在推进利用该技术的产品开发。（ROHM）

苹果iPad Pro更新：配备最强M4芯片

苹果推出了地表最强的平板——配备 M4 芯片的 iPad Pro！M4 芯片运用第二代 3nm 工艺制程制造，包含 280 亿颗晶体管，统一内存带宽达到了 120GB/s。其最新的 CPU 是基于在 M3 上首次亮相的新一代 GPU 架构所打造，最多拥有 4 个性能核、6 个能效核，并且都配置了新一代的机器学习加速器。在速度方面，相较于前代 iPad Pro 的 M2 芯片，最高提升幅度可达 50%。而在 GPU 方面，采用了新一代 10 核 GPU 架构，具有动态缓存这一强大功能，同时还首次将支持硬件加速的网格着色和光线追踪引入到了 iPad 上。此外，苹果此次还着重强调了 M4 芯片所带来的极致 AI 性能，用官方的表述就是：比当今任何 AI PC 的任何神经引擎都要强大！(36氪)

瑞萨电子功率半导体专用 300 毫米晶圆甲府工厂开始运营

先进半导体解决方案的主要供应商瑞萨电子公司近日宣布，位于日本山梨县甲斐市的甲府工厂已开始运营。瑞萨电子预计电动汽车 (EV) 需求不断增长，旨在提高功率半导体的产能。为了庆祝这一里程碑，瑞萨电子于4月11日举行了开幕仪式，当地政府官员和合作伙伴公司出席了仪式。（Renesas Electronics）总投资200亿元，武汉长飞先进半导体基地项目迎来新进展国内最大的SIC功率半导体制造基地之一，武汉长飞先进半导体基地项目成功完成首榀桁架吊装。长飞先进武汉基地项目总投资200亿元。其中，一期已于2023年9月开工，预计今年6月封顶，2025年上半年形成产能。完工后将成为国内碳化硅产能前列，集产品设计、外延生长、晶圆制造、封装测试于一体，且全智能化的世界一流碳化硅器件制造标杆工厂。建成后预计年产6英寸碳化硅MOSFET及晶圆36万片、功率器件模块6100万个，将广泛覆盖新能源汽车、光伏、储能、充电桩、电力电网等领域。（中国光谷）

上海微系统所等开发出可批量制造的新型光学“硅”与芯片技术

5月8日，中国科学院上海微系统所的欧欣研究员团队联手瑞士洛桑联邦理工学院TobiasJ.Kippenberg团队，在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片制备领域取得突破性进展。其中，钽酸锂光子芯片所展现出的极低光学损耗、高效电光转换和孤子频率梳产生等特性有望为突破通信领域速度、功耗、频率和带宽四大瓶颈问题提供解决方案，并在低温量子、光计算、光通信等领域催生革命性技术。（中国科学院）